(1) Phello ea taolo ea vGS ho ID le mocha
① Nyeoe ea vGS=0
Ho ka bonoa hore ho na le likhokahano tse peli tsa morao-rao tsa PN lipakeng tsa drain d le mohloli oa mokhoa oa ntlafatso.MOSFET.
Ha motlakase oa heke-mohloli oa vGS = 0, leha motlakase oa vDS oa drain-source o eketsoa, 'me ho sa tsotelehe polarity ea vDS, ho lula ho e-na le pokano ea PN sebakeng se ka morao sa leeme. Ha ho na mocha o tsamaisang metsi pakeng tsa drain le mohloli, ka hona, ID≈0 ea hona joale ea drain ka nako ena.
② Nyeoe ea vGS>0
Haeba vGS> 0, tšimo ea motlakase e hlahisoa ka har'a SiO2 e sireletsang lera pakeng tsa heke le substrate. Tataiso ea sebaka sa motlakase ke perpendicular tšimong ea motlakase e lebisitsoeng ho tloha hekeng ho ea substrate holim'a semiconductor holim'a metsi. Sebaka sena sa motlakase se leleka masoba mme se hohela lielektrone. Likoti tse lelekang: Likoti tse karolong e ka tlas'a mofuta oa P haufi le heke lia lelekoa, 'me li siea li-ion tse amohelang tse sa sisinyeheng (negative ions) ho etsa lera la ho fokotseha. Li-electrone tse hohelang: Li-electrone (lijari tse nyenyane) tse karolong e ka tlaase ea mofuta oa P li hoheloa holim'a karolo e ka tlaase.
(2) Ho thehoa ha mocha oa conductive:
Ha boleng ba vGS bo le nyane mme bokhoni ba ho hohela li-elektronike ha bo matla, ho ntse ho se na mocha oa conductive pakeng tsa drain le mohloli. Ha li-vGS li ntse li eketseha, li-electrone tse ngata li khahloa ke karolo e ka holimo ea P substrate. Ha li-vGS li fihla boleng bo itseng, li-electrone tsena li etsa mofuta oa N-mofuta o mosesaane holim'a substrate ea P haufi le heke 'me e hokahane le libaka tse peli tsa N +, ho etsa mocha oa conductive oa mofuta oa N pakeng tsa drain le mohloli. Mofuta oa eona oa conductivity o fapane le oa P substrate, kahoo o boetse o bitsoa "inversion layer". E kholoanyane vGS ke, matla a matla a motlakase a sebetsang holim'a semiconductor holim'a metsi ke, li-electrone tse ngata li hoheloa holim'a karoloana ea P, ho feta mocha oa conductive, 'me khanyetso ea mocha e nyenyane haholo. Matla a matla a heke ha mocha a qala ho theha a bitsoa "turn-on voltage", e emeloang ke VT.
TheN-chalero MOSFETe boletsoeng ka holimo e ke ke ea etsa mocha oa conductive ha vGS <VT, 'me tube e le boemong bo khaotsoeng. Ke feela ha vGS≥VT ho ka theoang kanale. Mofuta ona oaMOSFETe tlamehang ho theha kanale ea conductive ha vGS≥VT e bitsoa mokhoa oa ntlafatsoMOSFET. Ka mor'a hore mocha o thehoe, motlakase oa metsi o hlahisoa ha motlakase oa pele oa vDS o sebelisoa pakeng tsa drain le mohloli. Tšusumetso ea vDS ho ID, ha vGS> VT 'me e le boleng bo itseng, tšusumetso ea drain-source voltage vDS ka mocha oa conductive le ID ea hona joale e tšoana le ea transistor ea transistor ea tšimo ea junction. Ho theoha ha motlakase ho hlahisoang ke ID ea hona joale ea drain e haufi le kanale ho etsa hore maqhubu a pakeng tsa ntlha e 'ngoe le e 'ngoe ea kanale a se ke a hlola a lekana. Matla a motlakase qetellong a haufi le mohloli ke oona o moholo ka ho fetisisa, moo mocha o leng teng ka ho fetisisa. Motlakase o qetellong ea drain ke o monyenyane ka ho fetisisa, 'me boleng ba oona ke VGD=vGS-vDS, kahoo mocha ke thinnest mona. Empa ha vDS e nyane (vDS
Nako ea poso: Nov-12-2023
